К155ие9

Скачать

Развитие технологии играет исключительную роль в создании высокого научно-технического уровня производства во всех областях народного хозяйства. Значимость технологии в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем особенно велика. Именно постоянное совершенствование технологии полупроводниковых приборов, начиная со времени создания первых транзисторов, привело на определённом этапе её развития к изобретению микросхем, а в дальнейшим к широкому их производству.Технология интегральных микросхем представляет собой совокупность механических, физических, химических способов обработки различных материалов (полупроводников, диэлектриков, металлов), в итоге которой создаётся интегральная микросхема.Технологические процессы будут рассмотрены на примере создания двух видов интегральных микросхем: малой степени интеграции на основе биполярных транзисторов с изоляцией элементов р-n переходом и на основе изопланарной технологии.Биполярные микросхемы с изоляцией р-n переходом. Схема технологического процесса представлена на рисунке 1. В качестве исходных используются кремниевые подложки с эпитаксиальной структурой р-n и скрытым n+-слоем.Термическое окисление проводится для получения на поверхности кремния пленки SiO2 толщиной 0.8 мкм. На ней в процессе первой фотолитографии формируется защитная маска под локальную (разделительную) диффузию бора с целью создания изолирующих областей р-типа. Окисление проводится в потоке кислорода с изменением его влажности в три этапа: сухой — влажный — сухой.

Размер: 368.6 КБ
Тип: Курсовая
Категория: Радиоэлектроника
Скачать

Другие файлы:

Частотомір середніх значень
Призначення частотоміру середніх значень, принцип його дії. Використання генератора каліброваних часових інтервалів. Характеристика синхронного десятк...